| 发明名称 | 金氧半导体场效应电晶体及源/漏极区中降低损坏的方法 | ||
| 摘要 | 一种在金氧半导体场效应电晶体(MOSFET)的源/漏极区中降低损坏形成的方法，该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源/漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层；沉积一金属层在该源/漏极区中并进行反应；以及快闪退火处理该基板。本发明还公开了一种金氧半导体场效应电晶体和一种半导体元件的制造方法。本发明借由利用非晶硅化布植工艺、硅化镍工艺和快闪退火处理的系统和方法来减轻源/漏极区缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101350308A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710166451.2 | 申请日期 | 2007.11.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 罗加聘;赖隽仁;吴启明;王美匀;林大文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/24(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种在金氧半导体场效应电晶体的源/漏极区中降低损坏形成的方法，其特征在于该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源/漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层；沉积一金属层在该源/漏极区中并进行反应；以及快闪退火处理该基板。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||