| 发明名称 | 显示装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101350331A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810131636.4 | 申请日期 | 2008.07.16 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫入秀和;神保安弘;根井孝征 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上形成栅电极；在所述衬底及所述栅电极上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜；将激光束照射到所述微晶半导体膜；在进行所述照射步骤之后，在所述微晶半导体膜上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜；通过选择性地蚀刻所述添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜，形成源区及漏区；在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极；以及形成与所述源电极及漏电极中的一方接触的像素电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||