| 发明名称 | 一种制造NOR FLASH芯片的离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造NOR FLASH芯片的离子注入方法，该方法包括离子注入步骤：气体带着要掺的杂质在离子注入机中离化，采用高电压和磁场来控制并加速离子，致使所述高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面；该方法的离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于3*10<SUP>15</SUP>颗/cm<SUP>2</SUP>。本发明通过提高砷离子注入的注入浓度及注入速度来增加注入砷离子的数量，从而降低导线的阻值；阻值降低后，自然就会为电流产生畅通的通道。 | ||
| 申请公布号 | CN101350299A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710044055.2 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张艳红;陆韵峰;王芳 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种制造NOR FLASH芯片的离子注入方法，该方法包括离子注入步骤，过程如下：气体带着要掺的杂质砷、磷在离子注入机中离化，采用高电压和磁场来控制并加速离子，致使所述高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面；其特征在于：所述离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于3*1015颗/CM2。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||