发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 一种半导体器件的制造方法,该方法将引线框架安装于在型腔部(12a)未形成流入口和通气孔部的上部金属模和在型腔部(15a)的1处角部形成着流入口(15f)、但未形成通气孔部的下部金属模之间,在以中压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并对由型腔部(12a、15a)形成的模内进行减压之后,使模压树脂流入其模内。在暂且一边以低压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并使模压树脂流入由型腔部(12a、15a)形成的模内,一边排出残留空气之后,以高压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并使充填在由型腔部(12a、15a)形成的模内的模压树脂成型。
申请公布号 CN101351875A 申请公布日期 2009.01.21
申请号 CN200680049633.5 申请日期 2006.12.28
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 仓富文司;清水福美;西田隆文
分类号 H01L21/56(2006.01);H01L23/50(2006.01) 主分类号 H01L21/56(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华
主权项 1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:工序(a),准备包括第一金属模和第二金属模的模压金属模,其中,上述第一金属模具有多个第一型腔部和设在上述第一型腔部的1处角部的第一流入口,上述第二金属模具有多个第二型腔部;工序(b),准备焊接有半导体芯片的引线框架;工序(c),将上述引线框架安装在上述第一金属模和上述第二金属模之间并以第一夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧,经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的排气路径和上述第一流入口,对由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内进行减压;工序(d),在以上述第一夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧的状态下,停止由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的减压,从加料腔部经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的树脂流入路径和上述第一流入口,使用于密封上述半导体芯片的树脂流入到由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内;工序(e),在上述工序(d)之后,以比上述第一夹紧压力低的第二夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧,从上述加料腔部经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的上述树脂流入路径和上述流入口,使上述树脂流入到由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内;以及工序(f),在上述工序(e)之后,以比上述第一夹紧压力大的第三夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧。
地址 日本东京都