单段或多段触发式电压可调整的静电放电保护半导体构造

摘要

本发明涉及一种单段或多段触发式电压可调整的静电放电保护半导体构造，具有多段式保护半导体电路功能及可调整放电容量，不仅可以轻易符合半导体现有制程的优点，还可以用于集成电路半导体设计及制造领域，且改善重要半导体元件的保护功能及使得半导体元件不易损坏，尤其能够达到高功率半导体元件的多重保护需求，而且较公知的静电保护电路能够有更强的保护功能，主要利用多个N阱区或P阱区于P型基材中调整各阱区的放电容量并加以并联，以改善静电防护容量及达到动态设计符合不同功率规格的半导体电路。

主权项

1、一种多段触发式电压可调整的静电放电保护半导体构造，其包含：一第二型离子掺杂层，其中形成多个静电放电保护元件，该静电放电保护元件包含：一第一型离子掺杂阱区，形成于该第二型离子掺杂层之中；一第一第一型离子重掺杂区域，形成于该第二型离子掺杂层之中，并与该第一型离子掺杂阱区及其它第二型离子掺杂层内的区域分开；一第二型离子重掺杂区域，形成于该第二型离子掺杂层之中，并与该第一型离子掺杂阱区及其它第二型离子掺杂层内的区域分开；一第一电极，连接该第一第一型离子重掺杂区域及第二型离子重掺杂区域；一第二电极；及多个第二第一型离子重掺杂区域，形成于该第一型离子掺杂阱区之中，最靠近该第一型离子掺杂阱区边界的第二第一型离子重掺杂区域位于该第一型离子掺杂阱区之中，或者跨越该第一型离子掺杂阱区的边界；每一第二第一型离子重掺杂区域横向隔离至少一氧化物区段，其中最靠近该第一型离子掺杂阱区边界的第二第一型离子重掺杂区域与该第一型离子掺杂阱区边界保持一可调整距离；而其它第二第一型离子重掺杂区域则接触该第二电极而互相连接。