半导体晶片之制造方法、半导体用黏接薄膜及使用其之复合片

摘要

本发明提供一种可以边充分抑制晶片龟裂（Chip crack）或毛刺（Blurr）之发生，边由半导体晶圆获得高良品率的半导体晶片之方法。半导体晶片之制造方法具备：积层体的准备步骤，该积层体系以半导体晶圆，半导体用黏接薄膜与切割带（Dicing tape）之顺序被积层，以半导体晶圆被分割成多个半导体晶片，同时半导体用黏接薄膜之厚度方向之一部分不被切断而残留的方式，形成切槽者；以及切割步骤，藉由将切割带朝多个半导体晶片互相分离之方向拉伸，将半导体用黏接薄膜沿着切槽切割。半导体用黏接薄膜具有小于5％之拉伸断裂延性，该拉伸断裂延性为小于最大负荷重时之延性的110％。