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经营范围
发明名称
用以生产SOI基板及半导体装置的方法
摘要
本发明的目的系提供甚至在使用诸如玻璃基板或塑胶基板等挠性基板时,仍能够以高产率生产可用于实际应用中之具有SOI(矽晶绝缘体)层的SOI基板之方法。另外,本发明的另一目的系提供使用此种高产率的SOI基板以生产薄半导体装置之方法。当将单晶半导体基板接合到具有绝缘表面的挠性基板并且将单晶半导体基板分离以生产SOI基板时,使接合表面的一或二者活化,然后将具有绝缘表面的挠性基板和单晶半导体基板彼此装附。
申请公布号
TW200903712
申请公布日期
2009.01.16
申请号
TW097110074
申请日期
2008.03.21
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
神保安弘;小路博信;大沼英人;山崎舜平
分类号
H01L21/76(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L21/02(2006.01)
主分类号
H01L21/76(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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