发明名称 具有增高焊线的连接之半导体晶粒堆叠及其制造方法
摘要 本发明揭示一种半导体装置及一种制造该半导体装置之方法,该半导体装置包括经增高以便即使在紧密偏移组态中亦允许线焊偏移堆叠之晶粒的晶粒焊接衬垫。在将一第一晶粒附加至一基板之后,可在该第一基板之该等晶粒焊接衬垫中之一些或所有上提供一或多层之电导体以升高该等焊接衬垫之高度。导电层可例如为使用一已知之线焊毛细管而沈积于该第一基板之该等晶粒焊接衬垫上之导电球。此后,可添加一第二晶粒,且可使用一将一焊线球安装于一第一半导体晶粒焊接衬垫之一升高之表面上的已知之线焊毛细管来实现该第一晶粒之线焊。
申请公布号 TW200903676 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097110827 申请日期 2008.03.26
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 汉 塔奇尔;希瑞卡 巴盖斯
分类号 H01L21/60(2006.01);H01L25/00(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 黄章典;楼颖智
主权项
地址 美国