半导体沟渠电容及其制作方法

摘要

本发明系揭示一种半导体沟渠电容及其制造方法。本发明之方法包含提供具有一沟渠的一基板，此沟渠具有一第一深度以暴露出一第一侧壁及一第一底表面；形成一环颈介电层覆盖第一侧壁；以环颈介电层为遮罩，蚀刻第一底表面，以使沟渠具有大于第一深度的一第二深度，并形成一第二侧壁及一第二底表面，第二侧壁连结第一侧壁；共形地形成一第一导电层覆盖第二侧壁及第二底表面；共形地形成一电容介电层覆盖环颈介电层及第一导电层；及填充一第二导电层于沟渠内部。