发明名称 介电陶瓷及积层陶瓷电容器
摘要 本发明的介电陶瓷,系由钙浓度不同之2种以钛酸钡为主成分的结晶粒子(结晶粒子中的钙浓度少于0.3原子%的第1结晶粒子、与结晶粒子中的钙浓度达0.3原子%以上的第2结晶粒子)所构成介电陶瓷,其中,上述2种结晶粒子系相对于构成钛酸钡的钛100莫耳之下,含有:钒依V#sB!2#eB!O#sB!5#eB!换算计0.1~0.2莫耳、镁依MgO换算计0.55~0.75莫耳、从钇、镝、钬、铒及铽中选择至少1种稀土族元素(RE)依RE#sB!2#eB!O#sB!3#eB!换算计0.55~0.75莫耳、以及锰依MnO换算计0.25~0.6莫耳,且当将上述第1结晶粒子面积设为C1、将上述第2结晶粒子面积设为C2时,C2/(C1+C2)将满足0.5~0.8,同时居礼温度系85~95℃。
申请公布号 TW200902473 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097111621 申请日期 2008.03.28
申请人 京瓷股份有限公司 发明人 山崎洋一;大铃英之;藤冈芳博;福田大辅
分类号 C04B35/46(2006.01);H01G4/12(2006.01) 主分类号 C04B35/46(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本