| 摘要 |
本发明揭示一种依据本发明之一态样之一非挥发性半导体记忆体，其包括：记忆体单元阵列(12A及12B)，其包括复数个单元单位；一电源供应接点(19)，其系在该等记忆体单元阵列(12A及12B)之一第一方向上布置于一端上；及页缓冲器(13A-u及13B-u)，其系布置于该等记忆体单元阵列(12A及12B)之该第一方向上。该非挥发性半导体记忆体还包括：复数个位元线(BL(M1))，其系布置于该等记忆体单元阵列(12A及12B)上，同时在该第一方向上延伸；及一第一电源供应线(Vss(M2))，其系布置于该等记忆体单元阵列上的该复数个位元线(BL(M1))上，以连接该电源供应接点(19)与该等页缓冲器(13A-u及13B-u)。 |
