通孔垂直结构的半导体芯片及其制造方法

摘要

本发明揭示通孔垂直结构的半导体芯片或器件，包括，通孔垂直结构的氮化镓基、磷化镓基和氧化锌基发光二极管(LED)，及生产工艺。一个具体实施实例的结构如下：绝缘的硅芯片的每一面分别形成两个电极。第一面上的两个电极分别通过通孔/金属填充塞与第二面上的两个电极电联接。第一面上的第二电极的位置和形状与键合于其上的半导体芯片的反射/欧姆/键合层的位置和形状相配合，第一面上的第一电极的位置和形状与层叠于其上的保护层的位置和形状相配合。半通孔/金属填充塞把第一面的第一电极和层叠于电流扩散层上的图形化的电极连接起来。第一类型限制层、活化层和第二限制层依次层叠于电流扩散层和反射/欧姆/键合层之间。

主权项

1.一种通孔垂直结构的半导体芯片，其特征在于，包括：一个半导体外延层；一个金属化硅芯片；所述的金属化硅芯片的一个表面与所述的半导体外延层的一个表面键合在一起；所述的半导体外延层的另一个表面暴露；其中，所述的金属化硅芯片的每一表面上层叠两个电极，同一表面上的两个电极互相电绝缘；所述的金属化硅芯片的一个表面上的两个电极分别通过通孔中的金属填充塞与另一表面上的两个电极电连接；其中，所述的金属化硅芯片是从一组金属化硅芯片中选出的一种，该组金属化硅芯片包括：不带有防静电二极管的金属化硅芯片或带有防静电二极管的金属化硅芯片；一个保护层；其中，所述的保护层层叠在所述的金属化硅芯片的与所述的半导体外延层键合的那个表面上的一个电极上；一个图形化的电极；其中，所述的图形化的电极层叠在所述的保护层和所述的半导体外延层的暴露的表面上；一个半通孔中的金属填充塞；其中，所述的半通孔中的金属填充塞穿过所述的保护层，把所述的图形化的电极和金属化硅芯片的与所述的半导体外延层键合的那个表面上的所述的电极电连接。