半导体装置及高压P型金属氧化物半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置及高压P型金属氧化物半导体装置，具体为具有静电放电防护功能的高压PMOS晶体管的半导体装置包括PMOS晶体管、N型埋藏层以及P型基底。PMOS晶体管包括设置于高压P阱区中且掺杂P型杂质的第一源/漏极区，设置于高压N阱区中且掺杂P型杂质的第二源/漏极区，高压P阱区是与高压N阱区实体接触，与第一源/漏极区实体接触的场区是大体设置接近高压P阱区与高压N阱区的接面，且大体设置于栅极介电层下；具有高掺杂浓度的第一N型区是设置于高压P阱区中，并相邻于第一源/漏极区。具有高掺杂浓度的N型埋藏层是设置于高压P阱区与高压N阱区下方。P型基底是设置于N型埋藏层下方。

主权项

1.一种高压P型金属氧化物半导体装置，其特征在于，具有静电放电防护功能，所述高压P型金属氧化物半导体装置包括：一基底，掺杂具有一第一导电型态的杂质；一埋藏层，设置于上述基底中，并且掺杂具有一第二导电型态的杂质，其中上述第二导电型态不同于上述第一导电型态；一第一高压阱区，覆盖上述埋藏层，并且掺杂具有上述第一导电型态的杂质；一第二高压阱区，覆盖上述埋藏层，并且掺杂具有上述第二导电型态的杂质，其中上述第二高压阱区是与上述第一高压阱区有实体接触；一场区，设置于上述第一高压阱区中接近上述第一高压阱区与第二高压阱区之间的接面处；一第一掺杂区以及一第二掺杂区，掺杂具有上述第一导电型态的杂质，其中上述第一掺杂区是设置于上述第一高压阱区中，并且与上述场区有实体接触，且上述第二掺杂区是设置于上述第二高压阱区中；一第三掺杂区，设置于上述第一高压阱区中并与上述第一掺杂区有实体接触，并且掺杂具有上述第二导电型态的杂质；一第四掺杂区，具有上述第一导电型态，并设置于上述第一高压阱区中与上述第三掺杂区实体接触，且该第三掺杂区位于该第四掺杂区与该第一掺杂区之间；一栅极介电层，设置于上述场区、第一高压阱区以及第二高压阱区上，上述栅极介电层具有对齐于上述第二掺杂区的侧边的一第一侧边，以及覆盖上述场区的一第二侧边；以及一栅电极，设置于上述栅极介电层上。