发明名称 压电单晶元件
摘要 本发明提供特别是在假立方晶和正方晶之间的变态温度T<SUB>rt</SUB>~(T<SUB>rt</SUB>-20)℃的特定高温域,压电特性出色的压电单晶元件。具体而言,由具有[Pb(Mg,Nb)O<SUB>3</SUB>]<SUB>(1-X)</SUB>·[PbTiO<SUB>3</SUB>]<SUB>(X)</SUB>:(X=0.26~0.29)的组成且具有复合钙钛矿构造的单晶构成,在25℃的相对介电常数的值是5000及以上,在所述单晶的假立方晶和正方晶之间的变态温度下的相对介电常数的值是在25℃的相对介电常数的值的2.5倍及以上。
申请公布号 CN100452470C 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200510118462.4 申请日期 2005.10.28
申请人 杰富意矿物股份有限公司 发明人 松下三芳;岩崎洋介
分类号 H01L41/18(2006.01) 主分类号 H01L41/18(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陆锦华;樊卫民
主权项 1.一种压电单晶元件,由具有[Pb(Mg,Nb)O3](1-X)·[PbTiO3](X) 的组成且具有复合钙钛矿构造的单晶构成,其中,X=0.26~0.29,在25℃的相对介电常数的值是5000及以上,在所述单晶的假立方晶和正方晶之间的变态温度下的相对介电常数的值是在25℃的相对介电常数的值的2.5倍及以上,所述单晶的Mg对Nb的摩尔比率在0.45~0.55的范围。
地址 日本东京