影像传感器结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种影像传感器结构的制造方法，包括：于一基板上依序形成一影像传感器电路结构和一图案化电极层；顺应性地于上述图案化电极层和未被上述图案化电极层覆盖的上述影像传感器电路结构上依序形成一绝缘层和一第一掺杂非晶硅层；进行一平坦化步骤，以移除部分上述第一掺杂非晶硅层和上述绝缘层直至上述图案化电极层，使剩余的上述第一掺杂非晶硅层和上述绝缘层被上述图案化电极层分隔；于上述图案化电极层上形成一光电二极管层，其中剩余的上述第一掺杂非晶硅层和上述光电二极管层之一第二掺杂非晶硅层具有相反的导电类型。

主权项

1.一种影像传感器结构的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一影像传感器电路结构；于该影像传感器电路结构上形成一图案化电极层，且电性连接至该影像传感器电路结构；顺应性地于该图案化电极层和未被该图案化电极层覆盖的该影像传感器电路结构上依序形成一绝缘层和一第一掺杂非晶硅层；进行一平坦化步骤，以移除部分该第一掺杂非晶硅层和该绝缘层直至该图案化电极层，使剩余的该第一掺杂非晶硅层和该绝缘层被该图案化电极层分隔；以及于该图案化电极层上依序形成包括一第二掺杂非晶硅层、一第一未掺杂非晶硅层和一第三掺杂非晶硅层的一光电二极管层，该光电二极管层的该第二掺杂非晶硅层覆盖于该图案化电极层、剩余的该第一掺杂非晶硅层和该绝缘层，其中该第一掺杂非晶硅层和该第二掺杂非晶硅层有相反的导电类型。