| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有在衬底上提供的至少一个NMOS器件和至少一个PMOS器件。NMOS器件的电子沟道与第一方向对准。PMOS器件的空穴沟道与不同的第二方向对准，第二方向相对于第一方向呈锐角。 | ||
| 申请公布号 | CN101345214A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810210385.9 | 申请日期 | 2008.07.10 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | A·休伯;W·坎普;M·奥斯特迈尔 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;刘春元 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：通过平面CMOS工艺在半导体衬底上形成NMOS器件，其中NMOS器件的电子沟道与第一方向对准；以及通过平面CMOS工艺在半导体衬底上形成PMOS器件，其中PMOS器件的空穴沟道与相对于第一方向形成锐角的第二方向对准。 | ||
| 地址 | 德国新比贝格 | ||