4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器

摘要

本发明涉及存储单元阵列装置及其制造方法，公开了一种4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器。在此所述的存储单元包含存储元件，而该存储元件包含可编程电阻材料及自对准底电极。在较佳实施例中，此存储单元的面积为4F²，而F为用以制造此存储单元的光刻工艺的特征尺寸，F等于最小特征尺寸。在此所述的存储单元阵列包含以交叉点阵列排列的存储单元，此阵列具有多条字线与源极线各自沿着一第一方向平行排列，并具有多条位线沿着一第二方向平行排列，其中第二方向垂直于第一方向。

主权项

1、一位于半导体衬底之上的存储单元阵列，其特征在于，该存储单元阵列包含：位于该半导体衬底之上的多条字线，该些字线沿着一第一方向平行延伸，且该些字线具有字线宽度以及对应的侧壁表面；一位于该些侧壁表面之上的侧壁介电层；位于该衬底中且介于二相邻字线之间的多对掺杂区域，其中各对掺杂区域包含对应的第一掺杂区域与第二掺杂区域；位于该侧壁介电层之上包含电极材料的多个底电极，第一底电极及第二底电极介于相邻字线之间的多个底电极中，而第一底电极及第二底电极具有底表面与对应的第一掺杂区域及第二掺杂区域电性接触，并具有顶表面；包含可编程电阻材料的多个存储元件，而该存储元件与对应的底电极的顶表面电性接触；位于该多个存储元件中该些存储元件之上并与该些存储元件电性接触的多个顶电极结构，该顶电极结构具有沿着一第二方向延伸的侧壁，该第二方向垂直于该第一方向，而其中该多个底电极中的该些底电极具有与对应的该些顶电极结构侧壁对准的侧壁；以及多个介电隔离结构，其中该些介电隔离结构隔离对应的第一掺杂区域对、第二掺杂区域对与相邻的字线。