| 发明名称 | 半导体对准测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体对准测试结构，填充有金属的通孔与被测结构的下层铝层相互接触，通孔与被测结构的上层铝层之间存在偏移L，还包括探头，测试被测结构上下层铝层之间的电流，该电流在上下层铝层之间偏移大于1/2L时为通路，在上下层铝层之间偏移小于1/2L时为0。本发明一种半导体对准测试结构，通孔和上层铝之间不相互接触，当存在超出范围的偏移时，探头之间即产生电流，从而可以更准确的进行对准测试。本发明可以用于对准监控，并且比已有技术的结构更紧凑，同时具有更高的灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN100452391C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510111836.X | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐开勤;东野智彦;熊淑平;陈春晖 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种半导体对准测试结构，其特征在于，填充有金属的通孔与被测结构的下层铝层相互接触，通孔与被测结构的上层铝层之间存在偏移L，还包括探头，测试被测结构上下层铝层之间的电流，该电流在上下层铝层之间偏移大于1/2L时为通路，在上下层铝层之间偏移小于1/2L时为0。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||