发明名称 用于倾斜灵敏度降低的晶片对准的设备和方法
摘要 一种光刻投影装置,包括:构图装置,在使用中用来根据预期的图案作为构成图案的光束使投影光束形成图案;保持基底的基底台(WS);基底对准装置(MS),用于检测所述基底相对于所述构图装置的位置;所述基底包括至少一个光栅(MAR),所述至少一个光栅(MAR)具有衍射长度并被设置成在使用中用来通过与入射光束(IB;IB2)在衍射长度上的相互作用,产生组成的衍射光束(DB1,DB2)的至少一个衍射级;所述基底对准装置(MS),包括产生所述入射光束(IB;IB2)的光源,和将所述至少一个衍射级成像到传感器器件(DET)上的光学器件(1);所述光学器件(1),包括预定位置处具有孔径(PH1,PH2)的孔径装置(TA),以使所述组成的衍射光束(DB1,DB2)通过;其中每个所述组成的衍射光束(DB1,DB2)具有所述孔径(PH1,PH2)水平的衍射光束直径(BD1,BD2),每个所述组成的衍射光束(DB1,DB2)的所述衍射光束直径(BD1,BD2)大于所述孔径(PH1,PH2)直径。
申请公布号 CN100451833C 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200410039755.9 申请日期 2004.02.13
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 G·范德朱
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F7/00(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1.一种光刻投影装置,包括:-构图装置,在使用中用来根据预期的图案作为构成图案的光束使投影光束形成图案;-保持基底的基底台(WS);-基底对准装置(MS),用于检测所述基底相对于所述构图装置的位置;-所述基底包括至少一个光栅(MAR),所述至少一个光栅(MAR)具有衍射长度并被设置成在使用中用来通过与入射光束(IB;IB2)在衍射长度上的相互作用,产生至少一个衍射级的组成的衍射光束(DB1,DB2)-所述基底对准装置(MS),包括产生所述入射光束(IB;IB2)的光源,和用于将所述至少一个衍射级的组成的衍射光束成像到传感器器件(DET)上的光学器件(1);-所述光学器件(1),包括预定位置处有孔径(PH1,PH2)的孔径装置(TA),以使所述组成的衍射光束(DB1,DB2)通过;其特征在于每个所述组成的衍射光束(DB1,DB2)具有所述孔径(PH1,PH2)水平的衍射光束直径(BD1,BD2),每个所述组成的衍射光束(DB1,DB2)的所述衍射光束直径(BD1,BD2)大于所述孔径(PH1,PH2)直径。
地址 荷兰维尔德霍芬