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发明名称
Metal-doped alumina and layers thereof
摘要
A method of forming (and an apparatus for forming) a metal-doped aluminum oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process.
申请公布号
US7473662(B2)
申请公布日期
2009.01.06
申请号
US20050131165
申请日期
2005.05.17
申请人
MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人
VAARTSTRA BRIAN A.
分类号
C04B35/10;C04B35/50;C04B35/505;C23C16/40;H01L21/3115;H01L21/316;H01L21/8244
主分类号
C04B35/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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