发明名称 Metal-doped alumina and layers thereof
摘要 A method of forming (and an apparatus for forming) a metal-doped aluminum oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process.
申请公布号 US7473662(B2) 申请公布日期 2009.01.06
申请号 US20050131165 申请日期 2005.05.17
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 VAARTSTRA BRIAN A.
分类号 C04B35/10;C04B35/50;C04B35/505;C23C16/40;H01L21/3115;H01L21/316;H01L21/8244 主分类号 C04B35/10
代理机构 代理人
主权项
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