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Ein vierter Halbleiterbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps ist in einem Teilbereich eines dritten Halbleiterbereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen. Diese Konfiguration verbessert die Sperrspannung zu dem Zeitpunkt, wenn die Schicht-Ladungsträgerkonzentration eines fünften Halbleiterbereichs erhöht wird.
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