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Verfahren zum Behandeln eines Halbleitersubstrats (2), bei dem ein Ionenstrahl (3) aus einem Dotiergas erzeugt und auf das Halbleitersubstrat (2) gelenkt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Dotiergas durch einen Kunststoffschlauch (6) einem Mittel (3) zum Erzeugen eines Ionenstrahls (4) zugeführt und dann ionisiert wird. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 erlauben in vorteilhafter Weise die Versorgung des Mittels 3 zum Erzeugen eines Ionenstrahls 4 mit einem Dotiergas aus üblichen Gasreservoirs 14 wie beispchläge von den Ablenkmitteln 5 werden durch Einsatz eines Kunststoffschlauchs 6 wirkungsvoll verhindert. So erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 den einfachen Aufbau einer entsprechenden Ionenimplantationseinrichtung bei gleichzeitig möglicher preiswerter Versorgung derselben mit Dotiergas. |
