Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (1) besitzt in einer ersten Hauptoberfläche einen Graben (1b). Ein Isolierschicht-Feldeffektteil enthält eine in der ersten Hauptoberfläche ausgebildete Gate-Elektrode (12a). Eine Potentialfestsetzungselektrode (12b) füllt den Graben (1b) und besitzt ein Erweiterungsteil, das auf der ersten Hauptoberfläche so erweitert ist, dass seine Breite (w2) größer als die Breite (w1) des Grabens (1b) ist. Auf der ersten Hauptoberfläche ist eine Emitterelektrode ausgebildet und von der Gate-Elektrode (12a) elektrisch isoliert und mit der gesamten oberen Oberfläche des Erweiterungsteils der Potentialfestsetzungselektrode (12b) elektrisch verbunden. Somit können eine Halbleitervorrichtung, die die Zuverlässigkeit verbessern kann, um zu verhindern, dass eine Aluminiumspitze erzeugt wird, und ein Herstellungsverfahren dafür geschaffen werden.