发明名称 处理系统、处理方法及记忆媒体
摘要 本发明提供一种可容易地调整气体流量之处理系统、处理方法及程式。于纵型热处理装置1中设置有复数个气体供给管16~20,该等系将处理气体供给至收容半导体晶圆W之反应管2内。气体供给管16~20之流量由流量调整部21~25所控制。控制部50中记忆有包括处理气体之流量之制程条件、以及表示处理气体之流量与膜厚之关系的膜厚流量关系模式。控制部50根据在制程条件下处理半导体晶圆W之处理结果以及膜厚流量关系模式,而计算出处理气体之流量,并控制流量调整部21~25,以将处理气体之流量变更为所计算出之处理气体之流量后,再处理半导体晶圆W。
申请公布号 TW200901268 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097107376 申请日期 2008.03.03
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 片冈勇树;山口达也;王文凌;竹永裕一
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本