于快速热退火期间之局部温度控制

摘要

在此揭露一种半导体结构的实施例及形成此半导体结构的方法。此半导体结构采用具有选择性地调整反射比及吸收特性的浅沟槽隔离技术，以确保在快速热退火处理期间，晶圆各处的一致性温度改变，并因而抑制装置性能上的差异。在此也揭露另一种半导体结构及形成此结构的相关方法。此半导体结构具有可以选择性地调整反射比及吸收特性的装置，使能选择性地改变个别装置的性能(即在相同的晶圆上形成具有不同定限电压的装置)及/或选择性地让个别的装置具备最佳化的退火温度(即确保在退火期间n-型及p-型掺杂物有最佳化的活化温度)。