发明名称 SnO系溅镀靶及溅镀膜
摘要 揭示着可得到一面减低溅镀中的异常放电,一面即使没有加热处理也具有低膜电阻系数,而且其后的加热处理的电阻系数变化小,耐热性上优异的溅镀膜的抗弯强度优异且实质上没有凝聚相的SnO#sB!2#eB!系溅镀靶。本发明的SnO#sB!2#eB!系溅镀靶,是含有1.5至3.5质量%的Ta#sB!2#eB!O#sB!5#eB!,及0.25至2质量%的Nb#sB!2#eB!O#sB!5#eB!,及作为剩余部分的SnO#sB!2#eB!及不可避免的杂质所成的烧结体所构成。
申请公布号 TW200900520 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097111191 申请日期 2008.03.28
申请人 三井金属业股份有限公司 MITSUI MINING & 发明人 森中泰三
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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