高效整流器

摘要

一种高效功率半导体整流器元件10包含δP++层(12)，P-本体(14)，N-漂移区(16)，N+基板(18)，阳极(20)，及阴极(22)。元件(10)之制造方法包括下列步骤：沉积N-漂移区(16)在N+基板(18)上；将硼植入N-漂移区(16)，以产生P-本体区(14)；形成矽化钛层(56)在P-本体区(14)上；及密化在矽化钛层(56)和P-本体区(14)之间的介面区之植入硼的部分，以产生过饱和P型掺杂矽之δP++层(12)。