| 摘要 |
本发明之目的为提供一种乾蚀刻方法，其可抑制对于绝缘层产生凹口，并且可实现高精密度的细微加工。本发明之乾蚀刻方法系包含：准备于由矽氧化物构成的绝缘层23上形成有半导体层21的基板；于前述半导体层21形成贯通孔25；并且一边将从前述贯通孔25露出的前述绝缘层23区域予以蚀刻而于前述绝缘层23形成凹处26，一边于前述贯通孔25以及前述凹处26之侧壁形成树脂膜27。藉由于凹处26之侧壁形成树脂膜27，可从来自电浆里之离子的冲撞中保护凹处26之侧壁，而抑制朝凹处侧壁的产生凹口。再且，藉由于贯通孔25之侧壁形成树脂膜27，可从来自电浆里之离子的冲撞中保护贯通孔25之侧壁，而防止贯通孔25之孔形状的变动。 |
