用于无氮化矽之矽湿蚀刻的抗硷负光阻剂

摘要

本发明系提供在生产半导体和MEMS装置期间使用的新颖光阻剂。底漆层较佳包括溶解或分散于溶剂系统中的矽烷。光阻剂层包括由苯乙烯和丙烯　所制备的第一聚合物，以及包括含有环氧树脂单体(且较佳的是含有酚之单体)的第二聚合物。光阻剂层包括光产酸剂，且较佳的是负型的。