| 摘要 |
一种正型光阻材料，其为含有（A）基于酸之作用而形成对硷显影液为可溶之树脂成份，与（B）感应活性光线或放射线而发生酸之化合物，其中，树脂成份（A）为具有下述通式（1）所表示之重复单位的高分子化合物，且，发生酸之化合物（B）为下述通式（2）所表示之 盐化合物之正型光阻材料。#P 096144172P01.bmp（R#sP!1#eP!为H、甲基，或三氟甲基。R#sP!2#eP!为酸不稳定基。R#sP!3#eP!为H或CO#sB!2#eB!R#sP!4#eP!。R#sP!4#eP!为1价烃基。X为O、S、CH#sB!2#eB!，或CH#sB!2#eB!CH#sB!2#eB!。m为1或2。n为1或2。a、b、c、d分别为0.01以上，未达1之数，a＋b＋c＋d＝1）。#P 096144172P02.bmp（R#sP!5#eP!、R#sP!6#eP!、R#sP!7#eP!为H，或1价烃基。R#sP!8#eP!为1价烃基）。本发明之光阻材料，可提供于微细加工技术，特别是于ArF微影蚀刻技术中具有极高之解析性，且具有较小线路侧壁不均（Line Edge Roughness）之图型。 |
