| 发明名称 | 低位错密度GaN的生长工艺 | ||
| 摘要 | 对侧向外延生长技术做一些新的改变就可以获得高质量的独自的GaN，其中3D岛或特征采用改变生长参数来获得。通过设置生长条件加强侧向生长从而获得平坦的岛(2D生长)。3D－2D生长的循环将导致穿透位错的多次弯曲，从而得到厚层或穿透位错密度低于10<SUP>6</SUP>cm<SUP>－2</SUP>的独立的GaN。 | ||
| 申请公布号 | CN101336314A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200680051917.8 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 卢米洛格股份有限公司 | 发明人 | B·博蒙;J－P·福里;P·吉巴特 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01);C30B25/02(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | C30B29/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1、一种制造低缺陷密度GaN的方法，包括以下步骤：d)在开始衬底上生长GaN的外延层，e)随后在低温下生长GaN层，以产生岛特征，f)在侧向生长被加强的情况下生长顶部的GaN层，直到岛特征完全合并并得到光滑平坦的表面，其特征在于：步骤b)的完成没有使用任何类型的掩膜，不粗糙化，不刻蚀，也不在GaN表面产生沟槽，仅仅通过改变生长室内的工作压力，分压，温度，V/III比例和/或通过在气相中添加表面活性剂或者非表面活性化学物质。 | ||
| 地址 | 法国瓦洛里市 | ||