| 发明名称 | 氟化碳膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行形成在所述被处理基板上的衬底膜的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。 | ||
| 申请公布号 | CN100447961C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200480014164.4 | 申请日期 | 2004.05.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;平山昌树 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种氟化碳膜的形成方法，用于在被处理基板上形成氟化碳膜，其特征在于，包括：第一工序，通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行形成在所述被处理基板上的衬底膜的表面处理；第二工序，在所述被处理基板上形成氟化碳膜；并且，所述基板处理装置具有被设置成与所述被处理基板相面对的微波透过窗，通过所述微波窗，从被设置在所述微波透过窗上的与微波电源电连接的微波天线，向所述被处理基板上的加工空间导入微波，对包含所述稀有气体的等离子气体进行等离子体激发。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||