用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrA_xTi_1－xO₃及制备工艺，其中A是In、Ga、Mn、Sb或Ta，原子百分比x的值从1％到40％。制备方法分为金属或导电半导体底电极(Pt、Ir、TiN、SrRuO₃等)、本征及掺杂钛酸锶电阻转变薄膜和金属上电极的制备三部分。在不同的实验条件下，获得了类单晶、多晶及不完全结晶状态的钛酸锶薄膜，而且这些薄膜材料在以Pt、Ir、Ag、Al、Ti或Mo等为上电极材料时，在连续电压扫描激励下，表现出优异的、稳定的高低阻态转变和记忆特性。

主权项

1、一种用于电阻式存储器的电诱发电阻材料，其特征在于所述的电诱发电阻材料为本征或掺杂钛酸锶薄膜，掺杂钛酸锶的组成通式为SrAxTi1-xO3式中x为原子百分数，x值的范围为1％～40％，A为In、Ga、Mn、Sb或Ta。