| 发明名称 | 氮化物系半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm<SUP>2</SUP>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN100448039C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200510128698.6 | 申请日期 | 2003.03.26 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 户田忠夫;山口勤;畑雅幸;野村康彦 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈剑华 |
| 主权项 | 1.一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm2以下，所述第1半导体层的与n侧电极的界面近旁的位移密度在1×109cm-2以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||