| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，包括在一超纯水制备系统中排列里面具有一UF模块的UF装置，它通过在它的内部排列许多由聚砜膜或聚酰亚胺膜组成的毛细空心纤维膜，通过热焊接使这多个空心纤维膜在它们的末端粘合起来，并通过这一热焊接，同时使空心纤维膜粘合到底盘上而制成。在将用于半导体集成电路器件的制造的超纯水的制备上，本发明使得可能防止电离胺流入到超纯水中。 | ||
| 申请公布号 | CN100447957C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN02147972.0 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立北海半导体株式会社 | 发明人 | 高桥理;小笠原邦男 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种在形成半导体集成电路器件中闪速存储器单元的栅绝缘膜之前进行清洗的方法，包括步骤：(a)将第一水引入到第一水净化系统中，并从所述第一水净化系统引出第一净化水；(b)将所述第一净化水引入到具有纯水循环回路的第二水净化系统中，该纯水循环回路包括具有空心纤维型超过滤膜的超过滤器；并且从所述纯水循环回路上的第一供应点引出第二净化水，其中所述超过滤器在所述第二净化水的方向上布置在所述第一供应点之前；(c)向第一湿处理设备提供所述第二净化水，由此对所述第一湿处理设备中的晶片进行第一湿处理；其中，所述步骤(c)包含下列子步骤：(c1)通过使用至少能够去除阳离子的离子去除过滤器从所述第二净化水去除离子，所述离子去除过滤器布置在所述第一供应点和所述第一湿处理设备中的一个使用点之间，以及(c2)向所述使用点提供已经通过所述离子去除过滤器的所述第二净化水，并且其中，(i)所述离子去除过滤器是具有薄膜薄片作为过滤器元件的薄膜型离子过滤器；(ii)所述半导体集成电路器件具有所述闪速存储器单元；(iii)所述第一湿处理是在用于形成所述闪速存储器单元的所述栅绝缘膜的热处理之前的清洗处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||