发明名称 |
多层单元、电子终端以及多层单元的介质填充方法 |
摘要 |
多层单元的介质填充方法,用于对至少具有第一层及第二层的两层的多层单元填充介质,在所述第一层形成用于对该第一层填充第一介质的第一介质注入区域;在所述第二层形成用于对该第二层填充第二介质的第二介质注入区域,所述第二介质注入区域对应于与所述第一介质注入区域不同的区域;层叠所述第一层及第二层;形成第一贯通孔以及第二贯通孔,所述第一贯通孔在所述第一介质注入区域内,沿着层的厚度方向贯通所述多层单元,所述第二贯通孔在所述第二介质注入区域内,沿着层的厚度方向贯通所述多层单元;对所述第一及第二贯通孔分别注入所述第一及第二介质,以此向所述第一层及第二层填充该第一及第二介质。由此,在制造过程中发生劣化现象少,能够以更短的时间容易地制作多层单元。 |
申请公布号 |
CN101336390A |
申请公布日期 |
2008.12.31 |
申请号 |
CN200680052250.3 |
申请日期 |
2006.02.03 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
黑崎义久;富田顺二;吉原敏明 |
分类号 |
G02F1/1341(2006.01);G02F1/1347(2006.01);G02F1/137(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1341(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张龙哺;陈晨 |
主权项 |
1.一种多层单元,至少具有第一层及第二层的两层,其特征在于,所述第一层具有用于对该第一层填充第一介质的第一介质注入区域;所述第二层具有用于对该第二层填充第二介质的第二介质注入区域,所述第二介质注入区域对应于与所述第一介质注入区域不同的区域;所述多层单元具有:第一贯通孔,其在所述第一介质注入区域内,沿着层的厚度方向贯通所述多层单元,而且仅对所述第一层填充所述第一介质,第二贯通孔,其在所述第二介质注入区域内,沿着层的厚度方向贯通所述多层单元,而且仅对所述第二层填充所述第二介质。 |
地址 |
日本神奈川县 |