| 发明名称 | 具有不规则且高低起伏多层量子井的发光元件外延结构 | ||
| 摘要 | 一种发光元件的外延结构，包括：一个第一半导体导电层形成于基板之上；一个主动层，以多层量子井(MQW)形成于第一半导体导电层之上；以及一个第二半导体导电层，形成于主动层之上；其中将至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于第一半导体导电层与主动层之间，从而形成具有多个不规则且高低起伏的多层量子井。 | ||
| 申请公布号 | CN101335314A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200710109473.5 | 申请日期 | 2007.06.26 |
| 申请人 | 广镓光电股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗良;程志青 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王光辉 |
| 主权项 | 1.一种发光元件的外延结构，其特征在于包括：基板；第一半导体导电层，形成于该基板之上；主动层，以多个不规则且高低起伏形状的的多层量子井形成于该第一半导体导电层之上；以及第二半导体导电层，形成于该主动层之上；其中至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于该第一半导体导电层与该主动层之间，从而，形成该具有多个不规则且高低起伏的形状的多层量子井。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市工业区34路40号 | ||