| 发明名称 | 制造碳化硅半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了在栅绝缘膜(20)和碳化硅层(11)之间的界面区中具有低界面态密度的碳化硅半导体器件的制造方法。在4H－SiC衬底(10)上生长外延生长层(11)，其后执行离子注入以形成作为离子注入层的p阱区(12)、源区(13)和p<SUP>+</SUP>接触区(15)。其后，利用热氧化或CVD，在p阱区(12)、源区(13)和p<SUP>+</SUP>接触区(15)上形成由氧化硅膜形成的栅绝缘膜(20)。然后，使用包含N<SUB>2</SUB>O的气体产生等离子体，以使栅绝缘膜(20)暴露于等离子体，该包含N<SUB>2</SUB>O的气体是包含氧和氮中的至少任何一种的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101336473A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200680052066.9 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 增田健良 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括：氧化膜形成步骤，在形成于衬底上的碳化硅层(11)上形成充当栅绝缘膜的氧化膜；和等离子体暴露步骤，在所述氧化膜形成步骤之后，将所述氧化膜(20)暴露到通过使用包含氮元素(N)和氧元素(O)中的至少任何一种的气体产生的等离子体。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||