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Eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie umfasst wenigstens ein optisches System, beispielsweise Lithographieobjektiv, das wenigstens eine Bi-Asphäre 1 mit zwei Asphären 2, 3 umfasst. Erfindungsgemäß weist die Projektionsbelichtungsanlage einen Manipulator auf, der eine Verkippung der Asphärenachsen A2, A3 der beiden Asphären 2, 3 durch eine Verkippung der Bi-Asphäre 1 um zwei aufeinander senkrecht stehende Achsen RX und RY so weit kompensiert, dass die Abbildungseigenschaften des optischen Systems optimiert werden. Darüber hinaus kann ein Zentriermanipulator vorgesehen sein, der Translationen TX und TY zur Ausrichtung der Achsen A2 und A3 bzgl. der optischen Achse OA ausführt. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Systems kann, mit bereits am Objektiv montierter Bi-Asphäre 1, anhand von den dem Systen eigenen Abbildungsparametern eine Ausrichtung der Linse 1, insbesondere eine Verkippung, zur Optimierung der Abbildungsparameter des Lithographieobjektivs durchgeführt werden.
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