半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体器件，作为周边用MISTr25b，包括：形成在活性区域10b上的栅极绝缘膜13b和栅电极14b；形成在栅电极14b的侧面上的第一侧壁19b和第二侧壁23b；在活性区域不靠在一起的n型源极·漏极区域24b；形成在位于栅电极14b的外侧侧向下方的氮扩散层18b；形成在活性区域10b中栅电极14b的外侧侧向下方的区域覆盖着氮扩散层18b的内侧侧面及底面、含砷的n型延伸区域16；以及形成在活性区域10b中位于栅电极14b的外侧侧向下方的区域，比n型延伸区域16还深、含磷的n型杂质区域17。于是，能够提供一种充分确保热载流子寿命、可靠性高的半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种半导体器件，其具有设置在半导体层的第一MIS型晶体管，其特征在于：所述第一MIS型晶体管，包括：形成在所述半导体层上的第一栅极绝缘膜，形成在所述第一栅极绝缘膜上的第一栅电极，形成在所述半导体层中位于所述第一栅电极的侧下方的区域、含有第一导电型的第一杂质的第一延伸区域，形成在所述半导体层中位于所述第一栅电极的侧下方的区域、比所述第一延伸区域还深、含有第一导电型的第二杂质的杂质区域，以及形成在所述第一延伸区域的上侧表面部分的氮扩散层，其中，所述氮扩散层的底面和侧面中靠近所述第一栅电极那一侧的侧面位于所述第一延伸区域内。