用于利用栅阶梯化非对称凹陷制作半导体器件的方法

摘要

提供一种用于利用栅阶梯化非对称凹陷制作半导体器件的方法。所述方法包括：将有机底抗反射涂(BARC)层形成在衬底之上；将图案化掩模形成在有机BARC层之上，该图案化掩模暴露出有机BARC层的所选部分；使用对衬底具有高选择性的蚀刻气体来蚀刻有机BARC层的暴露部分，直到在有机BARC层的暴露部分之下的衬底基本暴露；蚀刻衬底的暴露部分以形成多个凹陷有源区；去除掩模和有机BARC层以暴露由凹陷有源区限定的多个突起有源区；将栅绝缘层形成在凹陷有源区和突起有源区之上；以及将非对称阶梯结构的栅形成在栅绝缘层之上，每个栅在对应的凹陷有源区和对应的突起有源区之上延伸。

主权项

1.一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：将有机底抗反射涂层形成在衬底之上；将图案化掩模形成在所述有机底抗反射涂层之上，所述图案化掩模暴露出所述有机底抗反射涂层的所选部分；使用对所述衬底具有高选择性的蚀刻气体来蚀刻所述有机底抗反射涂层的暴露部分，直到在所述有机底抗反射涂层的暴露部分之下的衬底基本暴露；蚀刻所述衬底的暴露部分以形成多个凹陷有源区；去除所述掩模和所述有机底抗反射涂层以暴露由所述凹陷有源区限定的多个突起有源区；将栅绝缘层形成在所述凹陷有源区和所述突起有源区之上；以及将非对称阶梯结构的栅形成在所述栅绝缘层之上，每个栅在对应的凹陷有源区和对应的突起有源区之上延伸。