| 发明名称 | 一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法，系用圆形平面靶(2)溅射薄膜，基板(1)与平面靶(2)偏心放置，两者中的任意一个绕其中心轴自转，薄膜的厚度均匀性由靶基距和偏心距调节，当刻蚀环(3)的断面为U形，并且溅射时气压小于5Pa时，靶基距和偏心距的优化比例关系控制为：D＝3+0.7r<SUB>1</SUB>+0.3r<SUB>2</SUB>+(2/3±0.1)·h式中r<SUB>1</SUB>、r<SUB>2</SUB>分别为平面靶(2)上形成的刻蚀环(3)的内径和外径，h为靶基距，D为偏心距。该方法是针对离轴溅射，快速确定优化的靶基距h-偏心距D比例关系的控制方法，它具有：简单易用、普适性强、预测准确的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN100443627C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200610022343.3 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杜晓松;蒋亚东;李杰;谢光忠;王涛;李伟 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法，系用圆形平面靶(2)溅射薄膜，其特征在于，基板(1)与平面靶(2)偏心放置，两者中的任意一个绕其中心轴自转，薄膜的厚度均匀性由靶基距(h)和偏心距(D)调节，当刻蚀环(3)的断面为U形，并且溅射时气压小于5Pa时，靶基距和偏心距的优化比例关系控制为：<math><mrow><mi>D</mi><mo>=</mo><mn>3</mn><mo>+</mo><msub><mrow><mn>0.7</mn><mi>r</mi></mrow><mn>1</mn></msub><mo>+</mo><msub><mrow><mn>0.3</mn><mi>r</mi></mrow><mn>2</mn></msub><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><mfrac><mn>2</mn><mn>3</mn></mfrac><mo>±</mo><mn>0.1</mn><mo>)</mo></mrow><mo>·</mo><mi>h</mi></mrow>式中r1、r2分别为平面靶(2)上形成的刻蚀环(3)的内径和外径，h为靶基距，D为偏心距。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 | ||