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<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN NOUVEAU SUPPORT DE MEMORISATION MAGNETO-OPTIQUE QUI COMPREND UNE PELLICULE DE MATERIAU MAGNETIQUE AMORPHE 2 DONT LA TEMPERATURE D'ENREGISTREMENT EST INFERIEURE A SON POINT DE CRISTALLISATION AFIN DE PROVOQUER DES VARIATIONS DANS SES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, TELLES QUE SES FACTEURS DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION. LA DIFFERENCE ENTRE CES DEUX POINTS PERMET DE REALISER, SUR LE MEME SUPPORT DE MEMORISATION, A LA FOIS DES ENREGISTREMENTS REVERSIBLES 13 PAR UN PROCEDE D'ECRITURE THERMO-MAGNETIQUE TEL QUE "L'ECRITURE AU POINT DE CURIE" ET DES ENREGISTREMENTS PERMANENTS OU NON MODIFIABLES 12 PAR UNE CRISTALLISATION PROVOQUEE PAR LASER. LA PELLICULE 2 EST FORMEE SUR UN SUBSTRAT TRANSPARENT 1 ET EST RECOUVERTE D'UNE COUCHE PROTECTRICE 3 DE SIO. LE MATERIAU MAGNETIQUE AMORPHE CONSTITUANT LA PELLICULE 2 PEUT ETRE DU GDDYFE, DU GDTBFE, DU DYFE OU DU TBFE.</P><P>APPLICATION AUX SYSTEMES DE MEMORISATION OPTIQUES.</P>
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