Method of manufacturing an integrated planar bipolar transistor.

摘要

Die Erfindung beschäftigt sich mit einem Ionenimplantations-verfahren zum Herstellen von integrierten bipolaren Planartransistoren, insbesondere für sehr hohe Frequenzen. Dabei tritt das Problem auf, daß die Dickenschwankungen der Isolierschicht, durch die die Dotierungen der Basiszone als Ionen in den Halbleiterkörper implantiert werden, sich in Form von Schwankungen der Stromverstärkungsfaktoren äußern. Dieses Problem wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß die Dotierungen der Emitterzone (4) durch dieselbe Isolierschicht (3) implantiert werden wie die Dotierungen der Basiszone (1). Die gesamte Ladungsmenge in der Basiszone (1) unter der Emitterzone (4) wird dadurch weitgehend unabhängig von don Dickenschwankungen der Isolierschicht (3), durch welche die Dotierungen der Emitterzone (4) und die der Basiszone (1) implantiert werden.