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发明名称 PROCESSO PER FORMARE STRATI ELETTRICAMENTE ISOLANTI SU SUBSTRATI NON PLANARI A CIRCUITO INTEGRATO
摘要
申请公布号 IT1078800(B) 申请公布日期 1985.05.08
申请号 IT19760027569 申请日期 1976.09.24
申请人 IBM CORP 发明人
分类号 H01L21/3213;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/3205;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L21/3213
代理机构 代理人
主权项
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