| 主权项 |
1﹒一种电路,用以产生一偏压,以供积体制 于一半导体基体上之另一电路之用,此首 述之电路包括一产生控制波之振荡器和 至少一充电泵,由控制波所诱导产生之 电冲施加于该充电泵上,此充电泵包括 一电容和一二极体之串联装置,该等电 冲施加于电容的第一极,其第二极则连接 至与电容相关之二极体,充电泵之输出被 连接至基体而电容与充电泵之二极体连接 点则经过一绝缘闸转换电晶体一通道连接 至积体电路之接地点上,而该电晶体之闸 则连接至一接收控制波之控制电路上, 该电路特点为转换电晶体串联连接至至少 另一转换电晶体上,其绝缘控制极接受供 充电泵用之电冲,控制波经过控制电 路反相之后施加于首述转换电晶体之控制 极上,当一控制信号施加于控制电路上时 ,其控制电路将该首述转换电晶体之控制 极连接至其主电极(源极)上。 2﹒根据上述请求专利部份第1项所述之电路 ,其特点为,电容系由一连接至二极体之 绝缘闸电晶体所构成,波施加于相互连 接之各主极上。 3﹒根据上述请求专利部份第2﹒项所述之电 路,其特点为,电容系由一P传导性型之 电晶体所构成。 4﹒根据上述请求专利部份第1﹒,2﹒或3 ﹒项所述电路,其特点为,二极体系由一 二极体连接之电晶体所构成,而且其像首 述及另一转换电晶体一样是N传导性型者 ,该电路中之控制电路系为一反相放大器 ,该放大器之一N型电晶体之一通道使控 制极连接至首述转换电晶体之主极上。 5﹒根据上述请求专利部份第4﹒项所述之电 路,其特点为,该反相放大器另包括一其 通道连接至首述转换电晶体之控制极和至 电源端之P传导性型电晶体,该反相放大 器之P道和N道电晶体之控制极系连接至 振荡器之第一输出端上,该振荡器为一环 式振荡器,包括为奇数之各放大器,该各 放大器包括互补绝缘闸电晶体,电冲系 利用单一互补放大器将控制波反相而构 成者。 6﹒根据上述请求专利部份前面各项任一项中 所述之电路,其特点为,有另一充电泵, 该泵包括一电容和一二极体之串联装置, 其接合点连接至最先所述之充电泵之输出 上,其中,控制波施加于电容上,另一 充电泵之输出连接至基体上。 7﹒根据上述请求专利部份前述任一项中所述 之备有一产生基体偏压电路之一半导体基 体上一积体电路。 8﹒根据上述请求专利部份第7﹒项所述之一 积体电路,其特点为,该电路至少一部份 系在一P型半导体基体上之一N型井中所 构成。 9﹒根据上述请求专利部份第8﹒项所述之一 积体电路,其特点为,该积体电路包括具 有低値各电阻器和N道传导性之各电晶体 之各记忆单元(memorycells )。 |
