| 主权项 |
1.一种制备取代之芳香族胺之方法,该方法包含在硷性分质内,在低于60℃之温度及至少50毫安/平方厘米之电流密度下电解还原取代之硝基芳香族化合物。2.如申请专利范围第1项目所述之方法,其中之硝基芳香族化合物系由如下式代表之:式中Ar为芳香环结构,各R彼此独立为氢、烷基或卤烷基,各Z彼此独立为释放电子取代基位在硝基之邻位或对位;Y为羧基、磺、氰基、羧酸酯、芳基、及卤基;m为1至5之整数,P为0或1,n为1至3之整数及0为整数代表芳香环结构上其余可用于取代之位置。3.如申请专利范围第2项之方法,其中之硝基芳香族化合物为3-硝基-4-羟基苯甲酸,3-羟基-4-硝基苯甲酸,2-羟基-5-硝基苯甲酸,2-硝基酚,4-硝基酚,2硝基苯甲醚,4-硝基苯甲醚,4-甲基-2-硝基酚,2-甲基-3-硝基酚,3-甲基-4-硝基酚,5-甲基-2-硝基酚,4-硝基苯乙醚或硝基甲苯或其混合物。4.如申请专利范围第1项之方法,系在一种具有由在还原方法条件下不会腐蚀之金属所制成之阴极以及由可在硷性介质中产生氧之安定导体所制成之阳极之电解池内进行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中之阴极为铜,不锈钢,镍或导电性含碳物料而阳极钌/钛,铂,钯或镍。6.如申请专利范围第4项之方法,其中之阴极及阳极由离子交换膜所隔开。7.如申请专利范围第1项之方法,其中硷性介质之pH至少为8且介质中含有电解质。8.如申请专利范围第1项之方法,其中之电解质为硷金属氢氧化物。9.如申请专利范围第1项之方法,其中之电流密度为50至300mA/Cm2。10.如申请专利范围第1项之方法,其中之电解还原系在一种电解池中进行,该种电解池所具有之阴极电解液及阳极电解液二者皆含有硷性介质且系由分隔装置所分隔,因而使得可经由离子输送通过分隔装置而传导电流者。 |
