发明名称 管状陶瓷品,其制造方法及装置
摘要 本发明系关于制造碳化矽与矽之管状品之方法及装置。该等物品包含金属及化学结合形式之矽。该方法包含之步骤为,将接触至一中空、垂直管状微粒状碳化矽、碳或矽与碳之混合物柱之垂直管状微粒状矽柱同心地定位,及将邻接之柱加热至一矽化温度。矽成份渗入含微粒状碳化矽、碳或其混合物之柱中,以形成一管状品。该装置系由用来保持微粒状进给材料之供应漏斗及隔开、同心配置之管状负荷构件所组成。负荷构件被定位在一垂直定位之电感应炉内。微粒状进给材料被乾铸制而进入形成构件之间及周围之空间内。然后,负荷构件被除去,留下同心配置于炉内之分隔垂直、中空之微粒状进给材料柱。然后,电炉由顶部至底部被加热至一矽化温度。矽成份渗入含碳化矽、碳或其混合物之柱中,以形成一稠密、管状矽-碳化矽产品。附注:本案已向美国申请专利,申请日期:1986年11月7日,案号:928204号。
申请公布号 TW153577 申请公布日期 1991.03.11
申请号 TW077108001 申请日期 1988.11.16
申请人 盖斯研究协会 发明人 马丁.R.卡斯帕茨克
分类号 C04B 主分类号 C04B
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号白宫企业大楼一一一二室
主权项 1﹒一种由矽与碳化矽所组成之陶瓷管之制法,其包含之步骤为:(A)将邻接选自碳化矽、碳或其混合物之团之第二中空、垂直管状微粒状材料柱之中空、垂直管状微粒状矽柱同心地定位;(B)将该等柱加热至一矽化温度以使该矽自该第一柱渗入该第二柱中;及(C)将该已渗入之柱冷却以形成一中空、形稳定陶瓷管者。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,该第二柱系由碳化矽所组成者。3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,该第二柱系由碳所组成者。4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,该第二柱系由碳化矽与碳所组成者。5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,该等柱被加热至一矽之熔点以上之温度并低于约2400℃者。G﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,矽化步骤系在真空下实施者。7﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,矽化步骤系在惰性氛围中实施者。8﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,含碳化矽、碳或其混合物之柱亦包含一树脂结合剂者。9﹒如申请专利范围第8项之方法,其中,结合剂系以乾燥微粒形式被加入者。10﹒如申请专利范围第8项之方法,其中,结合剂系以液体形式被加入且随后在微粒状材料上乾燥者。11﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,加热步骤系藉重感应实施者。12﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,加热步骤系在具有电阻性加热核心之电感应中实施者。13﹒如申请专利范围第3项之方法,其中,加热步骤系在一非心型电感应炉内实施者。14﹒一种由申请专利范围第1项之方法所制成之中空、管状陶瓷品。15﹒如申请专利范围第14项之产品,其中,产品系由矽与碳化矽所组成者。16﹒如申请专利范围第14项之方法,其中,产品系由矽、碳化矽及石墨所组成者。17﹒一种将微粒状材料柱装填管状垂直度感应炉之装置,其包含:(a)一由多个具有大小可分开设在该感应炉内之环状隔开、开启圆柱形构件所组成之负荷构件;(b)用来放置该负荷构件于该炉内之构件(C)用来保持微粒进给材料供应之漏斗构件;(d)多个配置之进给构件,可选择性地将微粒状材料之供应量自该漏斗构件馈入该等形成构件周围及之间之空间中;(e)用来自该炉移除形成构件留下微粒状材料柱之构件;及(f)用来加热该炉之感应线圈构件者。18﹒如申请专利范围第17项之装置,其中,该炉为一真空感应炉者。19﹒如申请专利范围第17项之装置,其中,该进给装置为软管者。20﹒如申请专利范围第17项之装置,其中,该炉为一核心型炉者。21﹒如申请专利范围第17项之装置,其中,该炉为一非心型炉者。22﹒如申体专利范围第17项之装置,其中,该外形成构件上具有周边分隔构件,可使该形成构件隔开定位于该炉内者。图示简单说明第1图为一前正剖面图第2图为取自沿第1图之线1-1之剖面顶视图,第3图为第1图之感应炉之部份垂直剖面,第4图为第1图之感应炉之部份垂直剖面第5图为第1感应炉之剖份垂直视图,第6图为第1图感应炉之部份垂直视图,第7图为第1图感应炉之部份垂直视图。
地址 美国