MOS-gated turn-off power semiconductor device.

摘要

Bei einem MOS-gesteuerten abschaltbaren Thyristor (MCT) wird die herkömmliche Einheitszelle mit kombinierter Emitter- und Kurzschlussfunktion durch eine getrennte DMOS-Zelle (D) und Emitterzelle (E) ersetzt. Die DMOS-Zelle (D) enthält eine Fünfschichtfolge aus Kathodenkurzschlussgebiet (18), erstem Kananlgebiet (19), zweiter Basisschicht (7), erster Basisschicht (8) und Emitterschicht (9). Die Emitterzelle (E) enthält eine Vierschichtfolge aus erstem Emittergebiet (20), zweiter Basisschicht (7), erster Basisschicht (8) und Emitterschicht (9). Mit dieser Grundstruktur ergibt sich ein Bauelement, welches sich einfach herstellen lässt und sich durch ein hohes Sperrvermögen auszeichnet. <IMAGE>