发明名称 |
射频频段低温低噪声放大器 |
摘要 |
本发明公开了属于射频技术放大器领域中的一种射频低温低噪声放大器。其放大电路按照连接晶体管的不同管脚分为输入匹配网络、输出匹配网络和负反馈网络。本发明可以降低超导接收机前端的整体噪声,实现超导接收机前端的高灵敏度,并且具有驻波比小,体积小,在整个频段,真空低温下长期稳定工作。应用于CDMA频段放大器指标为:输入电压驻波比<1.3,输出电压驻波比<2.5,噪声系数<0.3dB,并在72K下长期稳定工作。 |
申请公布号 |
CN100428625C |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200410074736.X |
申请日期 |
2004.09.14 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
曹必松;张晓平;王凡;郜龙马;高葆新 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01);H03F3/189(2006.01) |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01) |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李光松 |
主权项 |
1.一种射频低温低噪声放大器,其特征在于:所述放大器包括一端接地的微带线作为源极负反馈电路(2)连接到晶体管源极,改善放大器的稳定性,同时使电路具有低的噪声和输入驻波比;由第一电容(21)和第一电感(22)构成第-T型网络(1)连接到晶体管控制极,为放大器的输入-输出电路的匹配电路,起到输入噪声匹配作用,在输入最佳噪声匹配的情况下,放大器的噪声最小,为管子的最低噪声,同时在低温下管子的最低噪声会显著降低,从而使放大器有很低的噪声,同时第一电感(22)、第二电容(23)和第一电阻(24)起到增加低频稳定性的作用;采用集总参数的电感线圈-第一电感(22)使电路尺寸极小化,降低制冷功耗,同时加大了频带宽度;在第三电容(41)、第四电容(43)之间连接第二电感(42)、第四电容(43)再和第二电阻(44)并联,第四电容(43)、第二电阻(44)并联后和第五电容(45)的一端连接,第三电容(41)和第五电容(45)的另一端连接后再和第三电感(46)连接,并且第三电感(46)和第三电阻(47)连接后共同组成有损输出匹配的第二T型网络(3),连接到晶体管收集极,使放大器具有更好的输出驻波,同时便于调节放大器增益,而不影响放大器的射频特性。 |
地址 |
100084北京市100084-82信箱 |